Bartoš Igor

Publikace ASEP

RIV ID 2163462     

Označit vše / Zobrazit vše / Zrušit označení

Nalezeno záznamů: 9

0479214 - FZU-D 2018 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Bartoš, Igor - Romanyuk, Olexandr - Paskova, T. - Jiříček, Petr
Electron band bending and surface sensitivity: X-ray photoelectron spectroscopy of polar GaN surfaces.
Surface Science. Roč. 664, Oct (2017), s. 241-245 ISSN 0039-6028
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108; GA MŠk LM2015088
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * XPS * band banding
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.062, rok: 2016
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0275287

0462542 - FZU-D 2017 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Bartoš, Igor - Romanyuk, Olexandr - Houdková, Jana - Paskov, P.P. - Paskova, T. - Jiříček, Petr
Electron band bending of polar, semipolar and non-polar GaN surfaces.
Journal of Applied Physics. Roč. 119, č. 10 (2016), 1-7, č. článku 105303. ISSN 0021-8979
Grant CEP: GA ČR GA15-01687S
AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * XPS * band bending
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.068, rok: 2016
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0261980

0432953 - FZU-D 2015 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Bartoš, Igor - Romanyuk, Olexandr
Polarity of wurtzite crystals by photoelectron diffraction.
Applied Surface Science. Roč. 315, OCT (2014), s. 506-509 ISSN 0169-4332
AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: wurtzite semiconductors * surface polarity * X-ray photoelectron diffraction * XPD
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.711, rok: 2014
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016943321400066X
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0237249

0396607 - FZU-D 2014 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Paskova, T. - Bieloshapka, Igor - Bartoš, Igor
GaN polarity determination by photoelectron diffraction.
Applied Physics Letters. Roč. 103, č. 9 (2013), "091601-1"-"091601-4" ISSN 0003-6951
Grant CEP: GA ČR(CZ) GBP108/12/G108
AV ČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * photoelectron diffraction * wurtzite * surface polarity
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.515, rok: 2013
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v103/i9/p091601_s1?isAuthorized=no
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0224351

0463238 - FZU-D 2017 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Bartoš, Igor - Brault, J. - De Mierry, P. - Paskova, T. - Jiříček, Petr
GaN quantum dot polarity determination by X-ray photoelectron diffraction.
Applied Surface Science. Roč. 389, Dec (2016), s. 1156-1160 ISSN 0169-4332
Grant CEP: GA ČR GA15-01687S; GA MŠk LM2015088
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN * semipolar GaN * quantum dots * X-ray photoelectron diffraction * surface polarity
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.387, rok: 2016
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0262652

0448017 - FZU-D 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Fernández-Garrido, S. - Jiříček, Petr - Bartoš, Igor - Geelhaar, L. - Brandt, O. - Paskova, T.
Non-destructive assessment of the polarity of GaN nanowire ensembles using low-energy electron diffraction and x-ray photoelectron diffraction.
Applied Physics Letters. Roč. 106, č. 2 (2015), "021602-1"-"021602-4" ISSN 0003-6951
AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN nanowires * X-ray photoelectron diffraction * LEED I-V * GaN polarity
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.142, rok: 2015
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0249763

0456585 - FZU-D 2016 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Paskova, T. - Bartoš, Igor
Polarity of GaN with polar {0001} and semipolar {1011}, {2021}, {1122}, orientations by x-ray photoelectron diffraction.
Journal of Materials Research. Roč. 30, č. 19 (2015), 2881-2892 ISSN 0884-2914
AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: GaN, * semipolar surfaces, * photoelectron diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.579, rok: 2015
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0257108

0432694 - FZU-D 2015 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Paskova, T. - Bartoš, Igor
Polarity of semipolar wurtzite crystals: X-ray photoelectron diffraction from GaN{10-11} and GaN{20-21} surfaces.
Journal of Applied Physics. Roč. 116, č. 10 (2014), "104909-1"-"104909-6" ISSN 0021-8979
AVČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: nitride compounds * XPD * low-energy electron diffraction
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 2.183, rok: 2014
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0237064

0425133 - FZU-D 2014 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Romanyuk, Olexandr - Jiříček, Petr - Mutombo, Pingo - Paskova, T. - Bartoš, Igor
Surface analysis of free-standing GaN substrates with polar, nonpolar,and semipolar crystal orientations.
Gallium Nitride Materials and Devices VIII. Bellingham: SPIE, 2013 - (Chyi, J.; Nanishi, Y.; Morkoc, H.; Piprek, J.; Yoon, E.; Fujioka, H.), "862521-1"-"862521-9". Proceedings of SPIE, 8625. ISBN 978-0-8194-9394-1. ISSN 0277-786X.
[SPIE Symposium on Gallium Nitride Materials and Devices /8./. San Francisco (US), 04.02.2013-07.02.2013]
AV ČR(CZ) M100101201
Institucionální podpora: RVO:68378271
Klíčová slova: surface structure * non-polar GaN * semipolar GaN * LEED * photoelectron diffraction * crystal polarity
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
http://dx.doi.org/10.1117/12.2006400
Trvalý odkaz: http://hdl.handle.net/11104/0231058